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焦點一:功率半導(dǎo)體器件性能 1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“**級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級,仍保持開關(guān)速度快的特點,是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值只有600V、2**。很長一段時間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過長時間
?變頻器系統(tǒng)低頻特性改善措施(1) 1、啟動轉(zhuǎn)距的提升 由于系統(tǒng)在低頻時R1上的壓降影響,使系統(tǒng)的啟動轉(zhuǎn)距隨W1下降而減小,為此變頻器設(shè)有轉(zhuǎn)距提升功能,該功能可以調(diào)整低頻區(qū)域電動機的力矩,使之與負荷配合,增大啟動轉(zhuǎn)距??蛇x擇自動轉(zhuǎn)距提升和手動轉(zhuǎn)距提升模式,其原理是提升定子電壓也就相應(yīng)提高了啟動轉(zhuǎn)距,但提升電壓設(shè)置過高,將導(dǎo)致電流過大引起電動機飽和、過熱或過電流跳閘。如1336PLUS系列
開關(guān)控制穩(wěn)壓原理 ??? 開關(guān)K以一定的時間間隔重復(fù)地接通和斷開,在開關(guān)K接通時,輸入電源E通過開關(guān)K和濾波電路提供給負載RL,在整個開關(guān)接通期間,電源E向負載提供能量;當(dāng)開關(guān)K斷開時,輸入電源E便中斷了能量的提供??梢?,輸入電源向負載提供能量是斷續(xù)的,為使負載能得到連續(xù)的能量提供,開關(guān)穩(wěn)壓電源**要有一套儲能裝置,在開關(guān)接通時將一部份能量儲存起來,在開關(guān)斷開時,向負
?一種多功能開關(guān)電源設(shè)計(2) 單片機控制模塊,包括單片機和相應(yīng)的A/D、D/A轉(zhuǎn)換模塊、繼電器切換控制模塊,以及人機交互接口。這一模塊的作用是通過單片機輸出的D/A轉(zhuǎn)換信號和繼電器切換控制信號,對開關(guān)電源**模塊進行控制,從而實現(xiàn)程序控制升壓、降壓和電路切換的功能。模塊中的單片機采用C8051F330D,為增強型51內(nèi)核單片機,集成了10位ADC和10位DAC,滿足設(shè)計精度需要。人機交
公司名: 武漢翔雷電子有限公司
聯(lián)系人: 雷軍
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