靈動微ARM Cortex-M內核測試向量生成

時間：2020-01-07

作者：深圳市英尚微電子有限公司

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詞條說明
Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是*一**的。擁有**過600多項有效**和申請的知識產(chǎn)權產(chǎn)品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。產(chǎn)品描述 MR20H4
靈動微電子的產(chǎn)品定位
靈動微電子MCU事業(yè)部表示，目前推出了參考設計方案有平衡車、無人機、電子標簽、LED顯示控制、BLDC無刷電機驅動、打印機、智慧家庭等。將來也還有計劃進入工業(yè)控制、汽車電子和IoT等領域。靈動微電子這三款MCU采用了0.18um的工藝，基于ARM的內核設計。它們分別是則是基于Cortex-M3內核的MM32F103系列MCU，基于Cortex-M0內核的MM32F031系列MCU和MM32P01
靈動微ARM Cortex-M內核測試向量生成
靈動微電子基于Arm Cortex-M系列內核開發(fā)的MM32 MCU產(chǎn)品擁有F/L/SPIN/W/P五大系列，200多個型號規(guī)格，累計交付近億顆MCU，在本土通用32位MCU公司中****。靈動微是本土僅有的同時獲得了ARM-KEIL、IAR、SEGGER***組織官方支持的本土MCU公司，是為數(shù)不多的建立了獨立且完善的生態(tài)體系的通用MCU公司，給客戶提供從優(yōu)異芯片產(chǎn)品到**算法、從完備參考設計
VTI一級代理商
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）作為較重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。 Density Org. P/N Vcc(V) Speed(ns) C/S