英國 NanoMagnetics 原子力顯微鏡硅片表面形貌測量

時間：2019-05-31

作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司

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KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo
HVA 真空閥門應用于E-Beam鍍膜機
某?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時外系統(tǒng)停機時不破壞系統(tǒng)真空,?只要對泵內(nèi)部進行破真空即可.HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規(guī)格:??閥門材質(zhì):&nb
氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設備檢漏,滿足第三代半導體芯片量產(chǎn)
氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設備檢漏要