汕頭單向可控硅性能解析與應(yīng)用實(shí)踐

時間：2025-10-14作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：78

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• IHS：2012年全球芯片市場恐陷衰退

  市場研究機(jī)構(gòu) IHS iSuppli 旗下的Application Market Forecast Tool （AMFT）日前調(diào)降了對 2012年**晶片市場的成長率預(yù)測，認(rèn)為今年該市場營收將比 2011年些微衰退0.1%，主因是宏觀經(jīng)濟(jì)景氣衰弱以及因此導(dǎo)致的 PC 與其他電子產(chǎn)品需求不振。 IHS AMFT 先前就預(yù)測**晶片市場 2012年成長率較多也不到3%；而如果該機(jī)構(gòu)較新的預(yù)測數(shù)據(jù)成真，

• 江門肖特基二極管性能解析與應(yīng)用實(shí)踐

  肖特基二極管的*特優(yōu)勢在眾多整流二極管類型中，肖特基二極管以其**性能在電子行業(yè)占據(jù)重要地位。作為深圳市凱高達(dá)科技有限公司的核心產(chǎn)品之一，我們的肖特基二極管采用先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝，結(jié)合國內(nèi)優(yōu)質(zhì)封裝技術(shù)，確保了產(chǎn)品性能與世界良好水平同步。肖特基二極管與傳統(tǒng)PN結(jié)二極管相比，具有顯著的低正向壓降特性。在相同電流條件下，肖特基二極管的正向壓降通常僅為普通整流二極管的一半左右，這一特點(diǎn)使其在高效率電源設(shè)

• 日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件

  日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件，隨后又成功對**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開關(guān)器件和整流器件實(shí)施了技術(shù)驗(yàn)證。 研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計和表面保護(hù)技術(shù)，利用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)了可

• 深圳整流二極管研發(fā)也生產(chǎn)

  深圳整流二極管研發(fā)與生產(chǎn)在現(xiàn)代電子科技飛速發(fā)展的時代，半導(dǎo)體器件作為電子設(shè)備的核心組成部分，發(fā)揮著**的作用。其中，整流二極管以其*特的單向?qū)щ娦?，成為各類電子電路中不可或缺的基礎(chǔ)元器件。無論是在電源管理、工業(yè)控制，還是在家用電器中，整流二極管都承擔(dān)著關(guān)鍵功能，為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供**。整流二極管的結(jié)構(gòu)基于PN結(jié)，這一簡單卻高效的物理結(jié)構(gòu)賦予了其單向?qū)щ姷奶匦?。?dāng)正向電壓施加時，電流能夠順利通