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全新Q模塊Q33B Q35B Q312B全新Q模塊Q33B Q35B Q312B全新Q模塊Q33B Q35B Q312BIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙較型晶體管)模塊是所有工業(yè)設(shè)備變頻化必需的元器件,從20世紀(jì)90年代產(chǎn)品化開始,該產(chǎn)品就向著大電流、耐高壓方向發(fā)展。此外,其產(chǎn)品芯片結(jié)構(gòu)從平面柵較結(jié)構(gòu)發(fā)展為溝槽柵較結(jié)構(gòu),并且憑借CSTBT?M結(jié)
Estun伺服馬達(dá)EMG-30APA2 Estun伺服馬達(dá)EMG-30APA2 Estun伺服馬達(dá)EMG-30APA2 高真空測(cè)定子PR25 ? ? ? DN2515752(LEYBOLD)-同INFICON PEG050 高真空測(cè)定子PTR225 ? ? ?DN25 15734(LEYBOLD)-同INFICON PEG100 高真空
帝思傳感器S41-5-D-N 帝思傳感器S41-5-D-N 帝思傳感器S41-5-D-N 傳感器型號(hào)齊全: 傳感器的特點(diǎn)包括:微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化,它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造和較新?lián)Q代,而且還可能建立新型工業(yè),從而成為21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的,已成功應(yīng)用在硅器件上做成硅壓力傳感器。 接近傳感器工程項(xiàng)目,是代替限位開關(guān)
聯(lián)系人: 李慕
電 話: 021-59112709
手 機(jī): 13671890267
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地 址: 上海嘉定江橋上海嘉定區(qū)江橋
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