詞條
詞條說(shuō)明
工業(yè)相機(jī)市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)YXC晶振應(yīng)用方案工業(yè)相機(jī)是一種用于工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器視覺(jué)領(lǐng)域,能夠髙效、準(zhǔn)確地取的目標(biāo)物體圖像并與自動(dòng)化設(shè)備配合,進(jìn)行圖像處理與分析的専業(yè)相機(jī)設(shè)備。隨著工業(yè)4.0和智能制造的發(fā)展,工業(yè)相機(jī)的需求和市場(chǎng)快速增長(zhǎng),尤其在質(zhì)量檢測(cè)、生產(chǎn)線監(jiān)控、自動(dòng)化控制和機(jī)器視覺(jué)等領(lǐng)域的應(yīng)用尤為廣泛。一、工業(yè)相機(jī)市場(chǎng)應(yīng)用與趨勢(shì)工業(yè)相機(jī)的主要應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了制造業(yè)、電子行業(yè)、醫(yī)藥工業(yè)、汽車制造、物流等。
性能高的無(wú)源晶振選擇YSX211SL晶振 穩(wěn)定的時(shí)鐘頻率電子設(shè)計(jì)
在電子領(lǐng)域中,無(wú)源晶振是電路系統(tǒng)中重要的時(shí)鐘源。針對(duì)緊湊的電路布局和高要求的性能,平板FPC 2016無(wú)源晶振 YSX211SL以其特定的特點(diǎn)成為了許多應(yīng)用場(chǎng)景中的選擇。YSX211SL擁有巨小巨薄的封裝尺寸,僅為2.01.60.85mm。相較于通用的3225封裝尺寸,YSX211SL可以節(jié)省高達(dá)62%的空間。這使得在電路設(shè)計(jì)中,YSX211SL為工程師提供了較多的自由空間,使得電子產(chǎn)品可以變得較
精度高電子GPS 從YSO110TR在電子GPS中體現(xiàn)出的優(yōu)勢(shì)
在電子GPS應(yīng)用領(lǐng)域中,時(shí)鐘穩(wěn)定性和準(zhǔn)確定位是關(guān)鍵因素。為滿足這些需求,有源晶振成為了一個(gè)重要的組件。而在寬電壓范圍內(nèi),YSO110TR型號(hào)的有源晶振憑借其出色的性能和穩(wěn)定性備受青睞。YSO110TR有源晶振以其穩(wěn)定的頻率穩(wěn)定度脫穎而出。它有高達(dá)±30PPM(-40℃至+80℃)的總頻差,確保準(zhǔn)確的時(shí)鐘參考,為電子GPS提供穩(wěn)定而準(zhǔn)的性能。不論是戶外環(huán)境的溫度還是室內(nèi)環(huán)境的溫度變化,YSO110T
晶振作為重要的電子元器件芯片在很多方面都有應(yīng)用,當(dāng)批量購(gòu)買晶振時(shí)自然不能只關(guān)注其價(jià)格,尤其是在對(duì)比預(yù)算內(nèi)的晶振產(chǎn)品時(shí)要重視其品質(zhì)。為了避免因?yàn)槎▋r(jià)購(gòu)買到不良產(chǎn)品,接下來(lái)給大家說(shuō)說(shuō),判斷晶振品質(zhì)的常用方法,讓您在挑選這類產(chǎn)品時(shí)做個(gè)參考。一、通過(guò)外觀細(xì)節(jié)判斷晶振品質(zhì)我們?cè)谂袛嗑д癞a(chǎn)品質(zhì)量的時(shí)候可以先從外觀細(xì)節(jié)著手判斷。在拿到晶振產(chǎn)品的樣品后查看外殼基座以及引線這些部件的做工如何,尤其是注意光亮程度,是
公司名: 深圳揚(yáng)興科技有限公司
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb
高穩(wěn)YOV2020DP 國(guó)產(chǎn)化恒溫晶振 全國(guó)產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V
差分溫補(bǔ)晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動(dòng)0.25ps typ. 3.3V
高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M
表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM
晶體 無(wú)源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18
石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M
石英溫補(bǔ)壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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