詞條
詞條說(shuō)明
可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法1.昆明二晶可控硅模塊環(huán)境溫度測(cè)量:溫度計(jì)放置在距被測(cè)硅模塊表面1.5m的溫度計(jì)中,溫度計(jì)測(cè)量點(diǎn)與減速器軸線的高度。溫度計(jì)的放置不受外部輻射熱和氣流的影響,環(huán)境溫度值和工作溫度值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊的溫升按以下公式計(jì)算公式中:δt-可控硅模塊溫升,℃。3.可控硅模塊工作溫度測(cè)量:可控硅模塊溫升測(cè)量通常與減速器的承載能力和傳動(dòng)效率測(cè)量同時(shí)進(jìn)行,也可
? ? ? 整流橋是將數(shù)個(gè)(兩個(gè)或四個(gè))整流二極管封在一起組成的橋式整流器件,主要作用還是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電,也就是整流,因此得名整流橋。整流橋分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起.半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,?選擇整流橋要考慮整流電
? ? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是絕緣柵雙較型晶體管。從功能上來(lái)說(shuō),IGBT就是一個(gè)電路開關(guān),優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、電流幾十到幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕,它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān),就可以設(shè)計(jì)出一類電路,通過(guò)計(jì)算機(jī)控制IGB
? ? ?igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵較通過(guò)一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。? ? ? igbt是**的*三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即
公司名: 江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司
聯(lián)系人: 陳經(jīng)理
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手 機(jī): 18913062885
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地 址: 江蘇蘇州昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201
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