RTL8111H-CG QFN-32以太網(wǎng)控制器芯片 rtl8111h 網(wǎng)卡驅(qū)動器IC芯片

時間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：91

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  詞條說明

• STM8S003F3P6/STM8S103F3P6/STM8S103K3T6C 芯片8位微控制器

  描述 STM8S003F3/K3值線8位微控制器提供8kbytes閃存程序存儲器，以及集成的真數(shù)據(jù)EEPROM。在STM8S微控制器系列參考手冊（RM0016）中，它們被稱為低密度設(shè)備。STM8S003F3/K3值線設(shè)備具有以下優(yōu)點：性能、健壯性和降低系統(tǒng)成本。 設(shè)備性能和健壯性由支持多達100000次寫入/擦除周期的真實數(shù)據(jù)EEPROM、采用16 MHz時鐘頻率的最新技術(shù)制造的高級內(nèi)核和外圍設(shè)備

• 供應(yīng) 全新原裝 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 內(nèi)存 閃存芯片

  EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM，包含256Mbit。 它在內(nèi)部配置為一個4米x 16的DRAM，帶有一個同步接口（所有信號都記錄在時鐘信號CK的正邊緣）。 數(shù)據(jù)輸出發(fā)生在CK和CK的上升沿。對SDRAM的讀寫訪問是面向突發(fā)的；訪問從選定的位置開始，然后按編程順序繼續(xù)訪問編程的多個位置。 訪問首先注冊BankActivate命令，然后是讀或?qū)懨?。EM6AA16

• 全新原裝 2SK208-GR SOT-23 MOS場效應(yīng)管 貼片三極管

  2SK208 通用用途和阻抗轉(zhuǎn)換器和冷凝器麥克風(fēng)的應(yīng)用 ?高擊穿電壓：VGDS=?50伏 ?高輸入阻抗：IGSS=?1.0 nA（最大值）（VGS=?30伏） ?低噪聲：NF=0.5dB（典型值）（RG=100K?, f=120赫茲） ?小包裝。 絕對最大額定值(Ta=25°C) 特性符號額定單元門-排水電壓VGDS?50V 門電流IG10mA排水功率PD100mW 連接溫度Tj125°C存儲溫度

• 供應(yīng)全新原裝 插件三極管 ICL8069 ICL8069DCZR PMIC-電壓基準(zhǔn) 封裝TO-92

  低壓參考 ICL8069是一個1.2V的溫度補償電壓參考。它利用帶隙原理在到50μA的反向電流下實現(xiàn)優(yōu)異的穩(wěn)定性和低噪聲。應(yīng)用程序包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、閾值檢測器和電壓調(diào)壓器。它的低功耗使它特別適合用于電池操作的設(shè)備。200N/A最大正向/反向電流最大接線溫度（SOIC包）限制150℃最大存儲溫度范圍-65℃至150℃最高導(dǎo)線溫度（焊接10秒）300℃（僅SOIC-導(dǎo)線頭） 特征 ?低偏置電