AP15P15GH N溝道150V 15A TO-252 MOS場管

時間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：176

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  詞條說明

• BSP250 貼片SOT-223 MOS場效應(yīng)管 30V

  BSP250 P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管 具有高速開關(guān)，無二次故障，非常低的電阻。應(yīng)用于低損耗電機(jī)和執(zhí)行器驅(qū)動器的電源開關(guān)。 描述SOT223塑料SMD封裝中的P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管。 根據(jù)絕對最大額定系統(tǒng)（IEC134）。 注1。脈沖寬度和占空比受最大結(jié)溫度的限制。 2.裝置安裝在環(huán)氧樹脂印刷電路板上，40×40×1.5mm；排水管的安裝墊至少6cm2。符號參數(shù)條件為最小值。

• 供應(yīng)全新 FT60F010A SOT-23 FT60F010A-URT FMD 全新原裝現(xiàn)貨 FMD輝茫微

  高性能 RISC CPU 只需學(xué)習(xí) 35 條指令 所有指令均為單周期（除了分支跳轉(zhuǎn)） 可選的指令周期：2T/4T FSYS =16MHz 時，VDD≥2.7V 8 層硬件堆棧 存儲架構(gòu) ? 程序 ROM: 2k x 14bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) RAM: 128 x 8bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) EEPROM: 256 x 8bits 特殊單片機(jī)特性 ? 時鐘 ? 兩個內(nèi)

• 原裝正品 STM32F103VET6 LQFP-100 32位微控制器貼片 嵌入式

  描述 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能系列包含高性能ARM? 皮質(zhì)?-M3 32位RISC內(nèi)核以72 MHz頻率運(yùn)行，高速嵌入式內(nèi)存（閃存高達(dá)512 KB，SRAM高達(dá)64 KB），以及連接到兩條APB總線的各種增強(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備。所有設(shè)備都提供三個12位ADC、四個通用16位定時器和兩個PWM定時器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：最多兩個I2C、三個SPI

• AOS/美國萬代 AON6482 AOS原裝優(yōu)勢 MOS管

  AON6482結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻包，以提供極低的RDS(ON)。該設(shè)備是理想的升壓轉(zhuǎn)換器和同步整流器為消費(fèi)者、電信、工業(yè)電源和LED背燈。 A. 通過安裝在1英寸2FR-4板上，在TA=25的靜止空氣環(huán)境下測量RθJA的值°C.功耗PDSM基于RθJA，最大允許結(jié)溫度為150°C.任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定板設(shè)計，如果PCB允許，可使用最高溫度為175°C B.功耗P