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可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進(jìn)行。2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
在當(dāng)今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,IGBT模塊作為核心功率半導(dǎo)體器件,在各種工業(yè)控制和能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中發(fā)揮著不可替代的作用。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電力電子元器件供應(yīng)商,我們特別為您介紹三菱IGBT模塊這一行業(yè)成員產(chǎn)品,幫助您全面了解其在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用。一、IGBT模塊的基本概念與三菱品牌優(yōu)勢IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,集成了MOSFET的高輸入阻抗和
萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個數(shù)值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測量時,選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因為Rxl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測量方法:將兩表棒分別接在二極管
二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了,從1930年開始,半導(dǎo)體整流器開始投入市場。二極管模塊分為:快恢復(fù)二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個安培以內(nèi),電壓最高1000多V,但是反向恢復(fù)素很快,只有幾個ns至幾十個ns,用在小功率開關(guān)電源做輸出整流,或需要頻繁開關(guān)的場
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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