保山CT二次過電壓保護(hù)器YCTB-4特點(diǎn)

時(shí)間：2025-05-21作者：醴陵市湘創(chuàng)電器有限公司瀏覽：84

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• HKBG-B-12.7過電壓保護(hù)器的廠家

  HKBG-B-12.7過電壓保護(hù)器使之與晶體所需的電容值匹配，如果已知晶體的負(fù)載電容為CI，若CI6pF，則可以增加一個(gè)并聯(lián)電容CS以產(chǎn)生所需的總負(fù)載電容CI，即CI=6pF+CS,若CI>6pF。? 則可以在晶體的一端增加一個(gè)串聯(lián)電容CS，以產(chǎn)生所需的負(fù)載電容CI，即1/CI=1/6pF+1/CS，通過計(jì)算即可得出應(yīng)增加的輔助電容大小，輔助電容的接法如圖3所示，在使用前對(duì)晶體的負(fù)

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  ???? 湘創(chuàng)塑殼漏電斷路器BM30L-100/4310/402025已更新所示是門控本振的工作框圖，門控信號(hào)控制著掃描發(fā)生器什么時(shí)候掃描，什么時(shí)候通過信號(hào)，這就使得451只在門選通期間測(cè)量信號(hào)頻譜。因此只要控制著451在f1頻率期間測(cè)量信號(hào)頻譜，即可獲得跳頻源在f1頻率周圍的雜散頻譜。門控本振工作原理圖方法一：外部觸發(fā)門控信號(hào)測(cè)試雜散時(shí)間門功能測(cè)試跳頻源