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一、可能的原因和影響因素· 晶振自身特性1)品質(zhì)因數(shù)(Q值):Q值是衡量晶振性能的重要指標(biāo),表示儲存能量與損耗能量的比值。低Q值的晶振在啟動時需要莄長時間來積累能量并達(dá)到穩(wěn)定振蕩狀態(tài)。2)老化現(xiàn)象:晶振隨著使用時間的增長,會出現(xiàn)頻率漂移、Q值降低和諧振阻抗增加等問題,這些都會導(dǎo)致起振時間延長?!?電路設(shè)計1)負(fù)載電容:晶振兩端接入的負(fù)載電容值會直接影響啟動時間。較大的負(fù)載電容需要莄長時間
什么是溫補晶振?溫補晶振定義為石英晶體振蕩器,采用補償方式制作,通過外圍電路將壓電應(yīng)時晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫度呈三次曲線變化,反轉(zhuǎn),使應(yīng)時晶體原有頻率隨溫度變化盡可能小。溫補晶振在無線傳輸?shù)膽?yīng)用中,無線透明傳輸模塊以體積小、功耗低為重要發(fā)展指標(biāo)。在正常工作條件下,常見的晶振頻率的精度可以達(dá)到百萬分之五十,而溫補晶振的精度較高。溫度補償晶振由恒溫槽控制電路和振蕩電路組成。通常用熱敏電
YXC可編程差分振蕩器,頻點50MHz,7050封裝,LVDS輸出,應(yīng)用于SVG
靜止無功發(fā)生器(SVG)是一種電力電子設(shè)備,它能夠快速地產(chǎn)生對電網(wǎng)電壓的控制,使電網(wǎng)的無功功率保持在正常狀態(tài),從而保證電網(wǎng)的穩(wěn)定性和連續(xù)性。它是近年來電力調(diào)節(jié)領(lǐng)域的重要突破之一。相對于傳統(tǒng)的無功補償裝置,靜止無功發(fā)生器的響應(yīng)速度較快,能夠較為準(zhǔn)確地對電網(wǎng)進(jìn)行調(diào)節(jié),從而使電網(wǎng)穩(wěn)定性較高。靜止無功發(fā)生器因其快速響應(yīng),精度高的電壓調(diào)節(jié)能力,用于電力系統(tǒng)中的無功控制領(lǐng)域。具體的應(yīng)用領(lǐng)域有電力系統(tǒng)穩(wěn)定性控制
書接上回,昨天小揚給大家整理了晶振圈里的名詞解釋,今天分享下半部分,瞧仔細(xì)咯~~如有晶振相關(guān)問題也可咨詢小揚為您解答···?10、等效電阻等效電阻(ESR,Rr,R1),又稱諧振電阻。在規(guī)定條件下,石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時的電阻。?11、激勵功率電平晶體工作時所消耗功率的表征值,AT切晶體激勵電平的增大,其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb
高穩(wěn)YOV2020DP 國產(chǎn)化恒溫晶振 全國產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V
差分溫補晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動0.25ps typ. 3.3V
高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M
表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM
晶體 無源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18
石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M
石英溫補壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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