dcdc大電流降壓芯片，OC5801L

時(shí)間：2024-06-19作者：久宇盛電子（深圳）有限公司瀏覽：74

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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  方案CR3215A中的內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件，具有以下特點(diǎn)：* 650V高電壓，可以承受較高的電壓，因此具有較高的功率輸出能力。* 內(nèi)置高雪崩能力，可以承受較高的電流，并且在發(fā)生雪崩時(shí)不會(huì)損壞，提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。* 內(nèi)置MOS的開(kāi)關(guān)速度非?？?，可以實(shí)現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換，減少了能量損失，因此是一種理想的功率半導(dǎo)體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)

• PC電源方案芯片CR1252P，恒功率控制IC

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• USB充電器解決方案CR6234+CR3005，輸入90~264V輸出5V3.4A

  針對(duì)USB充電器解決方案CR6234+CR3005，輸入電壓范圍為90~264V，輸出為5V3.4A，以下是一些可能的解決方案：1. 選擇合適的電源適配器：根據(jù)CR6234+CR3005的規(guī)格要求，需要選擇一個(gè)合適的電源適配器。一般來(lái)說(shuō)，輸出電壓為5V，輸出電流為3.4A的適配器適用于大多數(shù)USB設(shè)備。2. 確保輸入電壓在范圍內(nèi)：由于輸入電壓范圍為90~264V，因此需要確保電源適配器的輸入電壓在

• dcdc大電流降壓芯片，OC5801L

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