詞條
詞條說(shuō)明
YXC差分振蕩器,頻點(diǎn)125MHz,工作電壓2.5V~3.3V,LVDS輸出,應(yīng)用于數(shù)據(jù)采集
數(shù)據(jù)采.集是指對(duì)設(shè)備被測(cè)的模擬或數(shù)字信號(hào),自動(dòng)采.集并送到上位機(jī)中進(jìn)行分析、處理。數(shù)據(jù)采.集卡,即實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采.集功能的計(jì)算機(jī)擴(kuò)展卡,可以通過(guò)USB、PXI、PCI、PCMCIA、ISA、Compact Flash、485、232、以太網(wǎng)、各種無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等總線接入計(jì)算機(jī)。而晶振在數(shù)據(jù)采.集卡的作用包括:時(shí)鐘同步,數(shù)據(jù)采.集卡通常需要與外部設(shè)備進(jìn)行同步操作,以確保數(shù)據(jù)采.集的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。使得數(shù)據(jù)采.
YXC石英有源差分可編程晶振,頻點(diǎn)200MHZ,小數(shù)點(diǎn)可準(zhǔn)確至后6位,應(yīng)用于5G基站
5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的he心設(shè)備,提供無(wú)線覆蓋,實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線終端之間的無(wú)線信號(hào)傳輸?;镜募軜?gòu)、形態(tài)直接影響5G網(wǎng)絡(luò)如何部署。由于頻率越高,信號(hào)傳播過(guò)程中的衰減也越大,5G網(wǎng)絡(luò)的基站密度將莄高。晶振在5G基站的作用是提供準(zhǔn)確信號(hào)源與之配合,以協(xié)作模式實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間借由網(wǎng)絡(luò)渠道達(dá)到數(shù)據(jù)高速傳輸(交換)的目的。因此,5G技術(shù)對(duì)晶振也提出了同樣嚴(yán)格要求。主要體現(xiàn)在以下幾方面:1)高頻輸出2)精度高
差分晶振在實(shí)際應(yīng)用中有哪些優(yōu)勢(shì)
當(dāng)我們采購(gòu)晶振的時(shí)候往往要注重類型,其中按照輸出模式分工的話晶振可以分為單端或者差分晶振。考慮到很多客戶初次采購(gòu)晶振時(shí),會(huì)忽略輸出模式等參數(shù),因此接下來(lái)說(shuō)說(shuō)差分晶振和普通晶振的區(qū)別,以及在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)有哪些?差分晶振和單端晶振抗干擾能力不同當(dāng)我們需要采購(gòu)和使用晶振產(chǎn)品時(shí),自然不可忽視其輸出類型。平時(shí)看到的普通晶振,都是單端晶振輸出模式單一,相對(duì)的差分晶振的輸出模式 較多樣。單端晶振的優(yōu)勢(shì)在于只
晶振分為有源晶振和無(wú)源晶振兩大類。有源晶振(oscillator)別名:晶振,鐘振,振蕩器,石英振蕩器,晶體振蕩器,石英晶體振蕩器,Crystal。無(wú)源晶振(crystal)別名:晶體,石英諧振器,晶體諧振器,石英晶體諧振器,XTAL。有源晶振的方向識(shí)別方法:舉例YSO110TR系列1、一般情況下,有源晶振的引腳會(huì)專門標(biāo)注空腳位,即在絲印內(nèi)容左下角標(biāo)注一個(gè)圓點(diǎn),指明這是空腳。2、通過(guò)焊盤,同樣也可
公司名: 深圳揚(yáng)興科技有限公司
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb
高穩(wěn)YOV2020DP 國(guó)產(chǎn)化恒溫晶振 全國(guó)產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V
差分溫補(bǔ)晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動(dòng)0.25ps typ. 3.3V
高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M
表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM
晶體 無(wú)源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18
石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M
石英溫補(bǔ)壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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