IXYS艾賽斯單相整流橋模塊MCC95-16IO1B 二極管可控硅

時(shí)間：2023-07-27作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：25

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說明

• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，

• IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)？

  由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模

• 二極管和發(fā)光二極管的區(qū)別

  1、特點(diǎn)不同發(fā)光二極管相較于普通二極管具有體積小、色彩艷麗、耗電低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、耐振動和使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)。2、用途不同發(fā)光二極管：發(fā)光二極管在現(xiàn)代社會具有廣泛的用途，如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。普通二極管：主要用于家用電器、工業(yè)控制電路等。3、作用特點(diǎn)不同發(fā)光二極管：通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光，它在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能。普通二極管：利用二極管和電阻

• IGBT模塊保管時(shí)的注意事項(xiàng)

  一般保存IGBT模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合；在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方；保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。?