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詞條說明
整流橋是由四個(gè)二極管組成的橋形電路,可用于實(shí)現(xiàn)交流電到直流電的全波整流。相對于單個(gè)整流二極管,整流橋具有以下優(yōu)點(diǎn):全波整流:整流橋可以將交流電的正半周和負(fù)半周都進(jìn)行整流,從而得到較為平穩(wěn)的直流輸出電壓。輸出電壓穩(wěn)定:由于整流橋的輸出電壓經(jīng)過平滑濾波后,可以得到較為穩(wěn)定的直流電壓,適用于需要較穩(wěn)定電壓的電子電路。承受電壓高:整流橋由四個(gè)二極管組成,因此承受的反向電壓比單個(gè)整流二極管高得多,可以滿足高
當(dāng)天發(fā)貨全新現(xiàn)貨韓國大衛(wèi)快恢復(fù)二極管
以下產(chǎn)品均有現(xiàn)貨 大衛(wèi) DWM60X2-12N DWM100X2-12N DWM100X2-06N 三社 DBA200UA60 DBA200UA40 美高森美 APT2X30D20J APT2X30D30J APT2X30D40J APT2X30D60J APT2X30D100J APT2X30D120J APT2X30DC60J APT2X30DC120J APT2X30DQ60J APT2X3
IGBT模塊是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的模塊化器件。相比于單個(gè)IGBT芯片,IGBT模塊具有以下優(yōu)點(diǎn):高可靠性:IGBT模塊采用多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)組成,可以避**個(gè)芯片失效對整個(gè)電路的影響,提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。低開關(guān)損耗:IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路采用專門的驅(qū)動(dòng)芯片,可以實(shí)現(xiàn)快速、精確的控制IGBT芯片的開關(guān),從而降低開關(guān)損耗。高功率密度:由于IGBT模塊采用了多個(gè)芯片
IGBT模塊是一種集成了多個(gè)功率晶體管的半導(dǎo)體器件。IGBT是 Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,它是一種電力開關(guān)器件,具有普通雙較型晶體管和金屬氧化物場效應(yīng)管(MOSFET)的優(yōu)點(diǎn)。該器件在控制電流方面具有高速度和高電壓電流承受能力。 IGBT模塊通常由多個(gè)IGBT和自由較二極管、驅(qū)動(dòng)電路、溫度傳感器、故障保護(hù)電路等組成。由于它的結(jié)構(gòu)
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