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國芯思辰|拍字節(jié)低功耗FRAM PB85RS128C助力血糖儀設(shè)計(jì),供電電壓2.7V~3.6V
血糖儀是一種通過運(yùn)算放大器將血糖試紙產(chǎn)生的微電流采集放大后給MCU轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,經(jīng)過儀器分析后,**血糖水平,并顯示或者將數(shù)據(jù)傳輸?shù)胶笈_或云端的設(shè)備,其中,F(xiàn)RAM用來保存病人的血糖歷史測量數(shù)據(jù)進(jìn)行分析、跟蹤等。某工程師需要一個(gè)128K、低功耗的FRAM,本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C,該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS128B的電氣參數(shù)、性能參數(shù)、環(huán)境參數(shù)基
國芯思辰|開關(guān)電源芯片CN1609用于智能門鎖可實(shí)現(xiàn)30mW的待機(jī)功耗
在電池供電的智能設(shè)備中,低功耗越來越多的成為一個(gè)產(chǎn)品的重要指標(biāo),比如智能手表手環(huán)等可穿戴設(shè)備,智能物聯(lián)設(shè)備,智能門鎖等設(shè)備中,整機(jī)的待機(jī)功耗和待機(jī)電流較大的影響電池使用壽命和用戶體驗(yàn)。隨著集成電路的規(guī)模越來越大,性能方面有很大的提升,對于芯片的豐富功能和待機(jī)能力也有較高的需求,某客戶在設(shè)計(jì)智能門鎖產(chǎn)品中需要一款低待機(jī)功耗的電源芯片來降低門鎖耗電量,來延長更換電池的周期。本文推薦一款芯北科技CN16
國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設(shè)計(jì)
如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設(shè)計(jì)主要由BOOST電路和逆變電路組成。BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度,需要BOOST開關(guān)頻率越高,因?yàn)檫@樣可以降低BOOST電感體積,提高功率密度,由于IGBT的開關(guān)頻率受制于開關(guān)速度和拖尾電流等因素,其開關(guān)頻率一般不**過20kHz,如果開關(guān)頻率過高的話,會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗太大,發(fā)熱量劇增而損壞。因此,要
國芯思辰|肖特基二極管B1D02065K助力醫(yī)療設(shè)備電源功率密度的提升
在嚴(yán)格醫(yī)療要求的設(shè)備中,電源的設(shè)計(jì)電不僅要達(dá)到理想的效率,同時(shí)盡可能保持小巧緊湊,且必須滿足IEC60601-1的嚴(yán)格要求和一系列的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),旨在確保醫(yī)療電氣設(shè)備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴(yán)格的醫(yī)療設(shè)備中,B1D02065K優(yōu)越的性能和較高的工作效率是電源設(shè)計(jì)的可以選擇產(chǎn)品。碳化硅肖特基二極管B1D02065K碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的
公司名: 國芯思辰(深圳)科技有限公司
聯(lián)系人: 李子杰
電 話: 15013593818
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)石廈街道新天世紀(jì)商務(wù)中心A座2908
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地芯科技8通道16位ADC GAD7689,替代AD7689,助力電能質(zhì)量檢測設(shè)備開發(fā),采樣速率250kSPS
芯北科技低壓差線性穩(wěn)壓器CN86L050替代貝嶺BL8062助力智能垃圾桶電源設(shè)計(jì),輸出電流300mA?
中微愛芯LED段碼驅(qū)動(dòng)芯片AIP1628用于充電槍,可Pin to Pin兼容TM1628?
芯熾單通道14位模數(shù)轉(zhuǎn)換器-ADC-SC8246,兼容LTC2245,實(shí)現(xiàn)手持式GPS定位儀系統(tǒng)設(shè)計(jì)
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC,替代C2M0080120D,助力光伏逆變器設(shè)計(jì)
中科阿爾法低功耗全較霍爾開關(guān)AH466-替代HAL248-助力咖啡機(jī)位置變化檢測
拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器VFRAM,PB85RS128C助力工程車儀表盤
地芯科技16位1MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器GAD7980-替代AD7980-助力振動(dòng)傳感器設(shè)計(jì)
公司名: 國芯思辰(深圳)科技有限公司
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