可控硅SKKT162/22EH4 西門康全新原裝進口 現(xiàn)貨新批次

時間：2023-06-05作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：52

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

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• 7MBP150TEA060-50 富士igbt芯片可控硅驅(qū)動

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• IGBT模塊使用中的注意事項？

  由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模

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• 二極管的主要應(yīng)用？

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