熔斷器的簡介

時間：2022-09-24

作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司

詞條
詞條說明
IGBT模塊保管時的注意事項
一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合；在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。?
怎么選擇熔斷器？
1.根據(jù)不同的使用場景和參數(shù)確定當熔斷器的保護對象不同時，熔斷器的類型選擇也不一樣，比如，對于容量較小的照明線路或者小功率電機的保護，宜采用RC1A系列插入式熔斷器，因為熔體的熔化系數(shù)較小有利于電路的過電流保護。與之相反，對于大容量電路或大功率電器的保護，則要在安裝熔斷器的基礎上，加裝其它過電流保護裝置。如果碰到預期短路電流較大的電路或易燃氣體的場合，可以考慮選擇具備高分斷能力的RL系列螺旋式熔斷
igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管
igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管?
IGBT模塊是什么？
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，