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igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管
igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管?
Ferraz方體熔斷器?? ?Z300103C ? ? ? ?? ?PC30UD69V200ESF?? ?6,9 URD 30 ES F ? 0200? ? ? ??Ferraz方體熔斷器?? &nb
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇,熔斷器額定電流應大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金,其熔點低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時產生的金屬蒸氣較多,只適用于低分斷能
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時應該降等使用。
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機: 18221423398
微 信: 18221423398
地 址: 上海浦東自由貿易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
郵 編:
功率晶閘管半導體IGBT模塊|一件也是批發(fā)價|FZ400R17KE3 400A
?IGBT-Module|現(xiàn)貨供應|FZ1200R16KF4 1200A
Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A
功率半導體igbt|一件也是批發(fā)價|FZ2400R17KE3 2400A
IGBT驅動電路|現(xiàn)貨供應|FZ1800R17KE3_B2 1800A
英飛凌igbt單管|貨源穩(wěn)定|FZ800R16KF4 800A
大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A
功率晶閘管半導體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
手 機: 18221423398
電 話: 021-51096998
地 址: 上海浦東自由貿易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
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