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IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),
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熔斷器是根據(jù)電流**過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過電流的保護(hù)器,是應(yīng)用較普遍的保護(hù)器件之一。熔斷器是一種過電流保護(hù)器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時,將熔斷器串聯(lián)于被保護(hù)電路中,當(dāng)被保護(hù)電路的電流**過規(guī)定值,并經(jīng)過一定時間后,由熔體自身產(chǎn)生的熱
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