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詞條說明
? ? ?igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。? ? ? igbt是**的*三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即
? ? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是絕緣柵雙較型晶體管。從功能上來說,IGBT就是一個(gè)電路開關(guān),優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕,它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān),就可以設(shè)計(jì)出一類電路,通過計(jì)算機(jī)控制IGB
? ? ? ?整流橋具有體積小,使用方便等特點(diǎn),在家用電器和工業(yè)電子電路中應(yīng)用 非常廣泛.常用的小功率整流橋有全橋和半橋之分.全橋是將四只硅整流 二極管接成橋路的形式, 常見的型號有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半橋有三種結(jié)構(gòu):一種是將兩只二較 管順向串聯(lián),在結(jié)點(diǎn)處引出一電極(如 2CQ1 型),另一 種是將兩只二極管背靠
igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此,IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此,在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí),在觸摸之前,用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電;使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),請勿在接線前連接模塊;igbt模塊
公司名: 江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司
聯(lián)系人: 陳經(jīng)理
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地 址: 江蘇蘇州昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機(jī)電城北樓A201
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