供應(yīng)原裝** BQ2057WTSTR BQ2057W 2057W TSSOP-8 電池充電器芯片IC

時(shí)間：2021-12-24作者：深圳市云創(chuàng)達(dá)科技有限公司瀏覽：126

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 供應(yīng) SE555JGB 陶封高精度計(jì)時(shí)器 DIP-8 全新原裝進(jìn)口

  描述； 這些設(shè)備是能夠產(chǎn)生精確的時(shí)滯或振蕩的精確定時(shí)電路。在時(shí)滯或單穩(wěn)態(tài)運(yùn)行模式下，時(shí)間間隔由單個(gè)外部電阻器和電容器網(wǎng)絡(luò)控制。在可星號(hào)的操作模式下，可以通過(guò)兩個(gè)外部電阻和一個(gè)外部電容器獨(dú)立控制頻率和占空比。 閾值和觸發(fā)水平通常分別為VCC的三分之二和三分之一。這些水平可以通過(guò)使用控制電壓終端來(lái)改變。當(dāng)觸發(fā)器輸入**觸發(fā)器水平時(shí)，設(shè)置觸發(fā)器，輸出變高。如果觸發(fā)輸入**觸發(fā)水平，而閾值輸入**閾值水平

• ADC108S022CIMTX/NOPB TSSOP-16 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 全新原裝

  描述 ADC108S022是一種低功耗的八通道CMOS 10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器*用于50 ksps到200 ksps的轉(zhuǎn)換吞吐量。轉(zhuǎn)換器基于連續(xù)的具有內(nèi)部寄存器的近似寄存器體系結(jié)構(gòu)跟蹤保持電路。可以將其配置為接受在IN0至IN7的輸入端較多有八個(gè)輸入信號(hào)。輸出的串行數(shù)據(jù)是直接二進(jìn)制的，并且是與多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)兼容，如SPI，QSPI、MICROWIRE和許多常見(jiàn)的DSP串行接口接口。ADC108S022可獨(dú)立

• 供應(yīng) 原裝正品 L6599ATDTR SOP-16 絲印 L6599ATD 電源控制器芯片

  描述 L6599AT是對(duì)之前的L6599A的改進(jìn)版修訂版。它是一種特定于串聯(lián)共振半橋拓?fù)涞碾p端控制器。它提供了50%的互補(bǔ)占空比：高側(cè)開(kāi)關(guān)和低側(cè)開(kāi)關(guān)完全同時(shí)驅(qū)動(dòng)開(kāi)/關(guān)180°失相。通過(guò)調(diào)制工作頻率來(lái)獲得輸出電壓調(diào)節(jié)。在一個(gè)開(kāi)關(guān)關(guān)閉和另一個(gè)開(kāi)關(guān)接通之間插入固定截止時(shí)間保證軟開(kāi)關(guān)并實(shí)現(xiàn)高頻工作。 為了驅(qū)動(dòng)具有引導(dǎo)方法的高側(cè)開(kāi)關(guān)，集成電路集成了一個(gè)能夠承受**過(guò)600V的同步驅(qū)動(dòng)高壓DMOS，取代了外部快

• 供應(yīng)原裝正品 STP24N60DM2 封裝TO-220 600V24A MOS場(chǎng)效應(yīng)管

  描述 這些FDmeshII+?低Qg功率MOSFETs與固有的快速恢復(fù)體二極管生產(chǎn)使用新一代的MDmesh?技術(shù)：MDmeshII+?低Qg。這些革命性的電力模塊將垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶布局聯(lián)系在一起，產(chǎn)生世界上較低電阻和門(mén)電荷之一。因此，它們適用于要求較高的高效轉(zhuǎn)換器，以及理想的橋接拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+?低Qg功率MOSFETs在