供應(yīng) 原裝正品 LTM4630AIY LTM4630 LTM4630AY BGA-144 DC-DC電源IC

時(shí)間：2021-11-29作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：183

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• SN74HC245DBR 74HC245DWR 74HC245NSR 74HC245PWR 全新原裝 HC245N邏輯芯片 八路總線收發(fā)器 具有三態(tài)輸出

  SN74HC245NSR 特征 1?2 V至6 V的寬工作電壓范圍 ?高電流3狀態(tài)輸出驅(qū)動總線 直接或最多15個(gè)LSTL負(fù)載 ?低功耗，最大電流為80μA ?典型tpd=12納秒 ?5 V時(shí)的±6 mA輸出驅(qū)動 ?最大1μA的低輸入電流 ?在符合MIL-PRF-38535的產(chǎn)品上， 除非另有說明，否則所有參數(shù)均經(jīng)過測試 注意。在所有其他產(chǎn)品上，生產(chǎn) 處理不一定包括測試 在所有參數(shù)中。 應(yīng)用 ?服務(wù)

• 全新原裝 貼片 TP4056 1A線性離子電池充電器芯片 SOP-8

  描述TP4056 是一款完整的單節(jié)離子電池采用恒定電流/恒定電壓線性充電器。其底部 帶有散熱片的ESOP8/EMSOP8封裝與較少的外部元件數(shù)目使得TP4056成為便攜式應(yīng)用 的理想選擇。TP4056 可以適合 USB 電源和適配器電源工作。 由于采用了內(nèi)部 PMOSFET 架構(gòu)，加上防倒充電路，所以不需要外部隔離二極管。 熱反饋可對充電電流進(jìn)行自動調(diào)節(jié)，以便在大功率操作或高環(huán)境溫度條件下對芯片溫

• 原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的

• 供應(yīng)全新原裝進(jìn)口FDMT80080DC 晶體管IC芯片 貼片VDFN8

  FDMT80080DC N溝道雙CoolTM 88 PowerTrench?MOSFET 80伏254安1.35兆歐 特征 在VGS=10 V，ID=36 A時(shí)，最大rDS（on）=1.35 mΩ 在VGS=8 V，ID=31 A時(shí)，最大rDS（on）=1.82 mΩ 用于低rDS的高級封裝和硅組合（on） 高效 下一代增強(qiáng)型車身二極管技術(shù)， 專為軟恢復(fù)而設(shè)計(jì) ?薄型8x8mm MLP組件 ?MS