供應(yīng) 2553DRVT-1 絲印CJZ WSO**非反相電源開關(guān)芯片全新進口原裝

時間：2021-11-22

作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司

詞條
詞條說明
原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC
描述 DDR4sdram是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計用于在輸入/輸出引針的每個時鐘周期上傳輸兩個數(shù)據(jù)字。針對DDR4sdram的單個READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個8n位寬、四時鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的
供應(yīng)GS2988-INTE3 GS2988 QFN16封裝電纜驅(qū)動器芯原裝現(xiàn)貨
GS2988雙轉(zhuǎn)率，電纜驅(qū)動與3Gb/s能力功能SMPTE424M、SMPTE292M和SMPTE259M兼容支持在270Mb/s 支持數(shù)據(jù)速率從270Mb/s到2.97Gb/s寬公共模式范圍輸入緩沖區(qū)?100mV靈敏度?支持直流耦合到行業(yè)標準差分邏輯?芯片上100Ω差分數(shù)據(jù)輸入終端輸入信號跟蹤均衡差動同軸電纜驅(qū)動輸出?可選旋轉(zhuǎn)率? 可調(diào)輸出擺動從500mVpp到1800mVpp? 禁用控制
供應(yīng)原裝正品 IRF4905STRLPBF TO-263-3 P溝道 -55V/-42A 貼片MOSFET
IRF4905 來自國際整流器的第五代六角晶體管利用先進的處理技術(shù)來實現(xiàn)每個硅面積的極低的電阻。這一好處，加上HEXFETPowerMOSFETs著名的快速切換速度和加固設(shè)備設(shè)計，為設(shè)計者提供了一個極其高效和可靠的設(shè)備，用于各種應(yīng)用。 TO-220封裝是所有商業(yè)工業(yè)應(yīng)用的首選。TO-220的低熱阻和低包裝成本有助于其在整個行業(yè)的廣泛接受。先進工藝技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻動態(tài)dv/dt額定值 l 17
供應(yīng) 全新原裝DSP2a-DC24V,DSP2a-DC12V,DSP1a-DC12V繼電器
功能1。即使采用小型10mm.394英寸(H)x11mm.433英寸(W)x20mm.787英寸(L)（尺寸、大容量開關(guān)：1a、8A250VAC；2a和1a1b、5A250VAC。 2.高開關(guān)能力高接觸壓力、低接觸彈跳和擦擦操作提高了焊縫的阻力。耐燈具負荷和介電負載：1a最大開關(guān)容量為2000VA（8A250VAC） 3.使用與DS繼電器相同類型的高性能極性磁性電路，通過將彈簧負載與吸引的磁力相匹