供應(yīng) DRV8837DSGR WSON-8 電機驅(qū)動器 全新原裝

時間：2021-10-12作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：167

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  詞條說明

• BY25D16 全新原裝 FLASH存儲器芯片IC

  1.說明BY25D16為16M位串行外圍接口(SPI)閃存，并支持雙SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(SI)、I/O1(SO)。雙輸出數(shù)據(jù)的傳輸速度為108Mbits/s。該設(shè)備使用一個單一的低壓電源，范圍從2.7伏到3.6伏 此外，該設(shè)備還支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID。 為滿足環(huán)境要求，博雅微電子提供8針SOP150mil、173mil或208mil、8針USON3x3mm、D

• BSR302N L6327 IR 全新原裝 現(xiàn)貨供應(yīng)

  OptiMOS? 2小信號晶體管 特征 ?N通道 ?增強模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 參數(shù)符號條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/

• 英飛凌mos管原裝IPA80R600P7XKSA1正品N溝道功率場效應(yīng)

  MOSFET 800V、CoolMOSa、P7、功率晶體管 最新的800V CoolMOS?P7系列設(shè)置了一個新的基準(zhǔn)，采用800V 超級、連接、技術(shù)和結(jié)合了一流的性能和 英飛凌18年來最先進(jìn)的易用性 開拓性、超級、交叉、技術(shù)、創(chuàng)新。 特征 ?同類最佳 FOM  RDS（on）* EOS；減少的、Qg、Ciss和Coss ?“同類最佳”、DPAK、RDS（on） ?“同類最佳”、3V的V

• 全新原裝 2SK208-GR SOT-23 MOS場效應(yīng)管 貼片三極管

  2SK208 通用用途和阻抗轉(zhuǎn)換器和冷凝器麥克風(fēng)的應(yīng)用 ?高擊穿電壓：VGDS=?50伏 ?高輸入阻抗：IGSS=?1.0 nA（最大值）（VGS=?30伏） ?低噪聲：NF=0.5dB（典型值）（RG=100K?, f=120赫茲） ?小包裝。 絕對最大額定值(Ta=25°C) 特性符號額定單元門-排水電壓VGDS?50V 門電流IG10mA排水功率PD100mW 連接溫度Tj125°C存儲溫度