供應(yīng) DRV8837DSGR WSON-8 電機(jī)驅(qū)動器 全新原裝

時間：2021-10-12作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：154

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  詞條說明

• 全新原裝 STM32F030C8T6 LQFP48 ST意法半導(dǎo)體MCU微控制器

  描述 STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包含高性能Arm? 皮質(zhì)?-M0 32位RISC內(nèi)核，工作頻率為48 MHz，高速嵌入式內(nèi)存（高達(dá)256 KB的閃存和高達(dá)32 KB的SRAM），以及廣泛的增強(qiáng)型外圍設(shè)備和I/O。所有設(shè)備都提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口（最多兩個I2C、最多兩個SPI和最多六個USART）、一個12位ADC、七個通用16位定時器和一個高級控制PWM定時器。STM32F030

• SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲器 全新原裝

  SST39VF640xB設(shè)備是4Mx16CMOS多功能閃存+(MPF+)，采用SST專有的高性能CMOSSuperFlash技術(shù)制造。與替代方法相比，裂柵單元設(shè)計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V電源的640xB寫入（程序或擦除）。這些設(shè)備符合對x16存儲器的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)針腳分配。 SST39VF640xB設(shè)備具有高性能的字程序，提供了典型的字程序時間為7μs

• BSR302N L6327 IR 全新原裝 現(xiàn)貨供應(yīng)

  OptiMOS? 2小信號晶體管 特征 ?N通道 ?增強(qiáng)模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 參數(shù)符號條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/

• 供應(yīng) 原裝正品 TPS54319RTER 貼片QFN-16 絲印54319 開關(guān)穩(wěn)壓器芯片

  描述 TPS54319器件是一款功能齊全的6伏3安同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，帶有兩個集成MOSFET。 TPS54319通過集成MOSFET，實(shí)現(xiàn)電流模式控制以減少外部元件數(shù)量，通過啟用高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率來減小電感器尺寸，并通過一個3mm×3mm的熱增強(qiáng)QFN封裝最小化IC占地面積，從而實(shí)現(xiàn)小型設(shè)計。 TPS54319為各種負(fù)載提供了精確的調(diào)節(jié)，溫度超過±3.0%的電壓基準(zhǔn)（VREF）。 通過