GD32F103RCT6 RBT6 RET6 R8T6 C8T6 VCT6 VET6 CBT6 MCU芯片 全新原裝

時(shí)間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：229

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  詞條說明

• 供應(yīng)全新原裝 MM32F003TW TSSOP-20 32位基于ARM MO核心微控制器

  本產(chǎn)品使用高性能的 ARM? CortexTM-M0 為內(nèi)核的 32 位微控制器，最高工作頻率可達(dá) 48MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型 I/O 端口和外設(shè)連接到外部總線。本產(chǎn)品包含 1 個(gè) 12 位的 ADC、1 個(gè) 16 位通用定時(shí)器、1 個(gè) 32 位通用定時(shí)器、3 個(gè) 16 位基本定時(shí)器、1 個(gè) 16 位高級定時(shí)器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口：1 個(gè) I2C 接口、1 個(gè) SPI 接口和 1

• 供應(yīng) 2553DRVT-1 絲印CJZ WSON6非反相電源開關(guān)芯片 全新進(jìn)口原裝

  說明 TPS255x和TPS255x-1配電開關(guān)可用于需要精確電流限制或遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用，并提供高達(dá)1.5A的連續(xù)負(fù)載電流。這些設(shè)備通過一個(gè)外部電阻器提供了一個(gè)在75mA和1.7A（典型的）之間的可編程的電流限制閾值。 在較高的電流限制設(shè)置下，可以達(dá)到高達(dá)±6%的電流限制精度?？刂齐娫撮_關(guān)的升降時(shí)間，以減少轉(zhuǎn)彎和關(guān)閉期間的電流激增。 TPS255x設(shè)備在輸出負(fù)載超過電流限制閾值時(shí)，通過使

• 供應(yīng)全新原裝正品 PIC32MX130F064B-IML 集成電路IC 芯片

  操作條件 ?2.3V至3.6V，-40oC至+105oC，直流至40 MHz ?2.3V至3.6V，-40oC至+85oC，直流至50 MHz 核心：50 MHz/83 DMIPS MIPS32?M4K? ?MIPS16e?模式，最大可減少40%的代碼大小 ?代碼高效（C和匯編）體系結(jié)構(gòu) ?單循環(huán)（MAC）32x16和雙循環(huán)32x32乘法 時(shí)鐘管理 ?0.9%內(nèi)部振蕩器 ?可編程PLL和振蕩器時(shí)鐘

• 供應(yīng)全新 FT60F010A SOT-23 FT60F010A-URT FMD 全新原裝現(xiàn)貨 FMD輝茫微

  高性能 RISC CPU 只需學(xué)習(xí) 35 條指令 所有指令均為單周期（除了分支跳轉(zhuǎn)） 可選的指令周期：2T/4T FSYS =16MHz 時(shí)，VDD≥2.7V 8 層硬件堆棧 存儲(chǔ)架構(gòu) ? 程序 ROM: 2k x 14bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) RAM: 128 x 8bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) EEPROM: 256 x 8bits 特殊單片機(jī)特性 ? 時(shí)鐘 ? 兩個(gè)內(nèi)