詞條
詞條說(shuō)明
關(guān)于開(kāi)關(guān)電源的通用電壓(二)
2、開(kāi)關(guān)電源外加限流保護(hù) 從開(kāi)關(guān)電源電壓模式的工作原理可以看出來(lái),這個(gè)系統(tǒng)并沒(méi)有內(nèi)置限流功能的保護(hù)電路。與此同時(shí),系統(tǒng)對(duì)于輸入以及輸出的瞬態(tài)變化響應(yīng)較為緩慢。當(dāng)輸入電壓突然降低或者是負(fù)載阻抗突然降低的時(shí)候,因?yàn)橹麟娐份敵鲭娙菀约半姼斜容^大,電容與電感具有移相延遲的效應(yīng),輸出電壓的降低也會(huì)延遲。開(kāi)關(guān)電源輸出電壓低的信號(hào)通過(guò)電壓誤差放大器補(bǔ)償電路的延時(shí)延時(shí)傳輸?shù)絇WM比較器,從而使開(kāi)關(guān)電源脈沖寬度變寬
在開(kāi)關(guān)電源之中,電壓以及電流的突變,就是高dv/dt和di/dt,這是它EMI產(chǎn)生的主要原因。我們要實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)技術(shù)措施也是主要基于以下兩點(diǎn): (1)盡量地減小開(kāi)關(guān)電源本身所產(chǎn)生的干擾源,然后利用抑制干擾的方法或者產(chǎn)生干擾較小的開(kāi)關(guān)電源元器件和電路,來(lái)進(jìn)行合理的布局; (2)通過(guò)接地、濾波、屏蔽等技術(shù)來(lái)抑制開(kāi)關(guān)電源的EMI及提高電源的EMS。 分別來(lái)說(shuō)9大辦法就是: (1)減小dv/d
關(guān)于開(kāi)關(guān)電源KRP的相關(guān)設(shè)置
只要開(kāi)關(guān)電源原邊電感電流是處于連續(xù)的狀態(tài),就可以調(diào)用CCM模式。和淺CCM模式相比,深CCM模式的電感是淺CCM模式的幾倍,而淺CCM模式、BCM模式以及DCM模式的性能以及特性可能會(huì)較為相似。顯而易見(jiàn)的是,需要一個(gè)較為合適的參數(shù)來(lái)描述所有開(kāi)關(guān)電源電感電流的工作狀態(tài)。通過(guò)設(shè)置KRP值,可以讓變壓器的電感電流狀態(tài)和磁性材料與回路特性密切相關(guān)。我們也可以較加合理地評(píng)價(jià)產(chǎn)品設(shè)計(jì),比如說(shuō): 當(dāng)開(kāi)關(guān)電源KR
簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生原理及控制技術(shù)(二)
空間分離 開(kāi)關(guān)電源空間分離它是抑制空間輻射騷擾以及開(kāi)關(guān)電源感應(yīng)耦合騷擾的有效方法,可以通過(guò)加大騷擾源以及接受器敏感設(shè)備之間的空間距離,讓騷擾電磁場(chǎng)到達(dá)敏感設(shè)備的時(shí)候的強(qiáng)度已經(jīng)衰減到了**接受設(shè)備敏感度門(mén)限,從而達(dá)到了抑制開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的目的。從電磁場(chǎng)理論可以知道,場(chǎng)強(qiáng)在近區(qū)感應(yīng)場(chǎng)當(dāng)中以1/r3的方式衰減,遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)分布是按照1/r方式減小。所以,為了滿足系統(tǒng)的電磁兼容性要求,需要盡量把組成
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