常用熔斷器原理與作用

時間：2025-06-06作者：上海聚肯電子科技有限公司瀏覽：128

上海聚肯電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,平板可控硅,ABB可控硅,驅(qū)動板,二極管,整流管,WESTCODE可控硅,WESTCODE晶閘管,DYNEX可控硅,DYNEX晶閘管,中車可控硅,KP可控硅,KP晶閘管,KK可控硅,KK晶閘管,ZP二極管等, 歡迎致電 15000358998

• 詞條

  詞條說明

• 如何保護可控硅不被損壞

  1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓**過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓**過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起

• DYNEX可控硅晶閘管DCR3910Y22 DCR4060V20礦山電氣設(shè)備專用

  DYNEX可控硅晶閘管DCR3910Y22 DCR4060V20礦山電氣設(shè)備** 上海聚肯電子科技有限公司主要經(jīng)營電力電子器件包括功率模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊/IGBT驅(qū)動電路和驅(qū)動板、單三相整流橋模塊、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等。 主要品牌包括:英飛凌、歐派克、IXYS艾賽斯、西門康、三菱、新電源、東芝、IR、西門子、WESTCODE ，POSEICO，ABB，英達、ST等功率

• 可控硅壞的原因

  1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。

• 高壓軟啟動晶閘管DCR5050B20 DCR5450W18進口DYNEX可控硅

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