細(xì)說MOS管（二）

時間：2020-03-24作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：527

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• STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF

  ??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si

• STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價格優(yōu)美，質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其

• STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903

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• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應(yīng)用于風(fēng)扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產(chǎn)品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開關(guān)性能.該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數(shù)N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值