STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

時間：2020-03-03

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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臺灣STANSON 專注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快
STC4614可替代其它：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰(zhàn)壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側開關、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
stasnon 原廠STC4606規(guī)格參數(shù)NP30V 6.5A大量現(xiàn)貨
STANSONSTC4606可替代型號：STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606產品介紹：stc4606是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG