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N8307H概述:PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8307H內(nèi)置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率,使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標(biāo)準(zhǔn),并留有足夠的裕量。PN8307H集成了較為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護、防誤開啟、較小導(dǎo)通時間等功能。?PN8307H產(chǎn)品特征:■
PN8386產(chǎn)品描述:PN8386集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較
PN8370是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8370工作在原邊檢測和調(diào)整模式,可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。PN8370擁有恒流恒壓控制環(huán)路,可以實現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出,能夠滿足大部分充電器和適配器需求。PN8370內(nèi)置高壓啟動電路和較低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機功耗標(biāo)準(zhǔn)。在啟動階段,采用高壓啟動技術(shù),芯片啟動前0.5mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電,快速啟動。當(dāng)
PN8366產(chǎn)品描述:PN8366集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8366為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機: 13808858392
微 信: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
郵 編:
網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com
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