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PN8386產(chǎn)品描述:PN8386集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標準,可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較
PN8161概述:PN8161內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能,包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S
18W?USB-PD充電器方案較簡BOM 隨著USB PD快充及高通QC4+快充的普及,目前市面上已有多款設(shè)備支持了USB PD快充,現(xiàn)在,驪微電子為你們推薦節(jié)省10顆外圍的較簡BOM、具成本優(yōu)勢的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。 ? PD充電器方案PN8161內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換
本期為大家介紹驪微電子熱門方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六級能效充電方案,該5v2a充電器芯片方案擁有低待機、高效率、小體積、高可靠性等優(yōu)點,備受工程師青睞! ? PN8370M集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。 ? PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSF
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機: 13808858392
微 信: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
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網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com
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