NX70_AI4V 三星模塊

時(shí)間：2019-04-18作者：上海持承自動(dòng)化設(shè)備有限公司瀏覽：21

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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  Q8BAT-SET Q6DIN1全新模塊Q8BAT-SET Q6DIN1全新模塊Q8BAT-SET Q6DIN1全新模塊IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙較型晶體管）模塊是所有工業(yè)設(shè)備變頻化必需的元器件，從20世紀(jì)90年代產(chǎn)品化開(kāi)始，該產(chǎn)品就向著大電流、耐高壓方向發(fā)展。此外，其產(chǎn)品芯片結(jié)構(gòu)從平面柵較結(jié)構(gòu)發(fā)展為溝槽柵較結(jié)構(gòu)，并且憑借CSTBT?M結(jié)