詞條
詞條說明
對(duì)于晶振,行業(yè)內(nèi)許多人士比較認(rèn)同日本和閩臺(tái)晶振**,這其實(shí)也是有歷史原因的,石英晶振成長時(shí)間比較成熟,在發(fā)現(xiàn)晶振之后,日本一批批科學(xué)家都投身到半導(dǎo)體行業(yè)的各各領(lǐng)域,畢竟從研發(fā)到產(chǎn)品成型,見證了晶振從大到小的發(fā)展變化,目前日本廠商居技術(shù)**地位,在**度、封裝大小上具有**優(yōu)勢(shì),同時(shí)能夠?qū)⑵溥M(jìn)一步予以量產(chǎn)和自動(dòng)化生產(chǎn)。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振**排名分析》) 閩臺(tái)晶振**,基本都是直接
相信大家對(duì)晶體的壓電效應(yīng)還是有影響的,之前也發(fā)布類似的壓電效應(yīng)的文章,大家也可以去復(fù)習(xí)一下,對(duì)比壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)的兩者之間的不同,今天揚(yáng)興給說一下晶體的逆壓電效應(yīng),逆壓電效應(yīng)是指當(dāng)在電介質(zhì)的較化方向施加電場(chǎng),這些電介質(zhì)就在一定方向上產(chǎn)生機(jī)械變形或機(jī)械壓力,當(dāng)外加電場(chǎng)撤去時(shí),這些變形或應(yīng)力也隨之消失。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振的壓電效應(yīng)》) 正壓電效應(yīng)原理圖 逆壓電效應(yīng)是指外界對(duì)晶體
**MEMS硅晶振,是一種采用半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝制程,將**的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)與CMOS電路技術(shù)相結(jié)合的**全硅時(shí)鐘頻率元件,而SiTime MEMS的可配置解決方案幫助客戶提高產(chǎn)品性能,縮小產(chǎn)品尺寸,提升產(chǎn)品**性,并在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出。揚(yáng)興科技是SiTime硅晶振中國區(qū)一級(jí)代理商,亦是中國一家可編程晶振廠家;并與原廠成立SITIME硅晶振中國區(qū)量產(chǎn)中心,一小時(shí)量產(chǎn)千片級(jí)別以上的有源晶振
SITIME晶振編程器Time Machine II介紹和使用
sitime晶振編程器Time Machine II可以編程任意體積、頻率的振蕩器,也叫晶振燒錄器;SiTime晶振編程器可滿足:1-625MHz任意頻率,1.8-3.63V任意電壓,7050、5032、3225、2520、2016封裝尺寸、多種精度、多種工作溫度的燒錄。 sitime晶振燒錄器 Time Machine II是一個(gè)完整的MEMS振蕩器編程套件。它可以讓你輕松地配置你所需要的SiT
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