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SITIME硅晶振大*區(qū)樣品量產(chǎn)中心整理出可編程晶振尺寸對應圖,歡迎各位硅蜜參考: sitime可編程晶振尺寸對應圖產(chǎn)品尺寸:2.0*12、2.0*16、2.5*2.0、3.2*2.5、5.0*3.2、7.0*5.0
相信大家對晶體的壓電效應還是有影響的,之前也發(fā)布類似的壓電效應的文章,大家也可以去復習一下,對比壓電效應和逆壓電效應的兩者之間的不同,今天揚興給說一下晶體的逆壓電效應,逆壓電效應是指當在電介質(zhì)的較化方向施加電場,這些電介質(zhì)就在一定方向上產(chǎn)生機械變形或機械壓力,當外加電場撤去時,這些變形或應力也隨之消失。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚興官網(wǎng)《晶振的壓電效應》) 正壓電效應原理圖 逆壓電效應是指外界對晶體
SiTime晶振采用全硅的MEMS技術(shù),由兩個芯片堆棧起來,下方是CMOS PLL驅(qū)動芯片,上方則是MEMS諧振器,以標準QFN IC封裝方式完成。封裝完成之后,進行激光打標環(huán)節(jié),黑色晶振表面一般打標都是B07CG,1-110MHZ任一頻點均可編程,**到小數(shù)點后六位;每個頻點,均可提供7050、5032、3225、2520封裝;未燒錄之前,硅晶振屬于空白片,用空白片進行燒錄,根據(jù)客戶的需要不同,
**要了解無源晶振的原理,測試無源晶振,要清楚的知道無源晶振有四腳和兩腳之分,較要明白無源晶振的電路原理圖和腳位圖,才能對測試的結(jié)果的把控有效的掌握。下面揚興科技與您一起學習和探索晶振測試的方法吧。 無源晶振的工作原理:在石英水晶片的兩邊鍍上電極,通過在兩電極上加一定的電壓,因為石英有壓電效應,電壓形成了,自然就會產(chǎn)生形變,從而給IC提供一個正弦波形。通過IC的內(nèi)部整形和PLL電路后產(chǎn)生方波,然后
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