高低溫探針臺(tái)-解釋塞貝克系數(shù)測量原理及系數(shù)

時(shí)間：2023-10-07作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：83

鄭州科探儀器設(shè)備有限公司專注于真空探針臺(tái),小型離子蒸鍍儀,小型離子濺射儀等

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• 真空探針臺(tái)優(yōu)勢和適用于那些科研

  KT-Z1604T探針臺(tái)主要應(yīng)用于傳感器，半導(dǎo)體，光電，集成電路以及封裝的測試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。??? 該探針臺(tái)的承載臺(tái)為60x60不銹鋼臺(tái)面，臺(tái)面較高可升溫到較高350℃。真空腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動(dòng)，三個(gè)方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié)，其中X

• 小型濺射儀問題解答

  小型濺射儀儀問儀答較近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問的問題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見的技術(shù)問題：1、膜厚檢測儀原理：膜厚監(jiān)測儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測量技術(shù)加上**的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳 ?但是 鎳是導(dǎo)磁

• 高溫真空探針熱臺(tái)的使用場景

  1000度高溫真空探針臺(tái)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、材料科學(xué)、納米技術(shù)、光電子、薄膜技術(shù)等領(lǐng)域，具有以下用途：1. 半導(dǎo)體器件測試與表征：用于不同溫度下的半導(dǎo)體料件、電子器件和光電子器件的性能測試和分析。2. 材料性能表征：研究和測試材料在不同溫度下的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能，以及材料的穩(wěn)定性和可靠性。3. 納米結(jié)構(gòu)與納米器件研究：在納米尺度上測量納米結(jié)構(gòu)與納米器件的電學(xué)性能，及其在高溫真空環(huán)境中的穩(wěn)定性和

• PVD制備K型薄膜熱電偶的研究

  熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對(duì)被測物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺